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BFP196W | NPN Silicon RF Transistor(For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | |
BFP196W | NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA ?PoweramplifierforDECTandPCNsystems ?fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz ?Pb-free(RoHScomp | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
BFP196W | isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ?LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP. @VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz ?HighGain ︱S21︱2=18dBTYP. @VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobust deviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforuseinlownoise | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | |
BFP196W | NPN Silicon RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
BFP196W | Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
Low noise silicon bipolar RF transistor Productdescription ?NPNsiliconplanarepitaxialtransistorin4-pindual-emitterSOT343packageforlownoiseandlowdistortionwidebandamplifiers.ThisRFtransistorbenefitsfromInfineonlong-termexperienceinRFcomponentsandcombinesease-of-usetostablevolumesproduction,atbenchm | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN Silicon RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Package：SC-82A，SOT-343；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductorForlownoise,highgainamplifiersupto2GHz.) Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainamplifiersupto2GHz. ?Forlinearbroadbandamplifiers ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=6.5GHz,F=3dBat2GHz ?ESAQualificationpending | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
8GHZ
- 引腳數(shù)：
4
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-17
- vtest：
20
- htest：
8000000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細參數(shù)
- 型號：
BFP196W
- 制造商：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
Transistor, NPN, RF 7.5GHz, BFP196W
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
SOT343 |
36500 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十! |
詢價 | ||
INFINEON |
19+ |
SOT343 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨,特價供應 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標準封裝 |
9376 |
原廠渠道供應,大量現(xiàn)貨,原型號開票。 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT343R |
21000 |
原裝現(xiàn)貨特價熱銷 |
詢價 | ||
INFINEON |
16+/17+ |
SOT-343 |
3500 |
原裝正品現(xiàn)貨供應56 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-343 |
163000 |
一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
20+ |
SOT343 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT343 |
33500 |
全新進口原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
SOT-343 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價 |
詢價 |
