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BFQ193

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=7.5GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHzF=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR193

NPNSiliconRFTransistor

NPNBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR193

NPNSiliconRFTransistor

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BFR193

NPNBipolarRFTransistor

NPNBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

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BFR193

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

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BFR193F

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,F=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription

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LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

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BFR193T

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlarge-signalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

BFR193T

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

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SiliconNPNPlanarRFTransistor

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SiliconNPNPlanarRFTransistor

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BFR193TF

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages. Feature

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BFR193TW

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlarge-signalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf

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SiliconNPNPlanarRFTransistor

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SiliconNPNPlanarRFTransistor

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NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

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NPNSiliconRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

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Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz

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晶體管資料

  • 型號:

    BFQ193

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)_寬頻帶

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.08A

  • 最大工作頻率:

    7.5GHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    NE98203,NE98204,NE98208,2SC1659,2SC3301,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-100

  • vtest:

    20

  • htest:

    7500000000

  • atest:

    0.08

  • wtest:

    0

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