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AS4C8M16SA-6BIN

128M - 8M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C8M16SA-6BIN

Fully synchronous operation

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C8M16SA-6BIN

包裝：托盤 封裝/外殼：54-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

AllianceMemory

Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16SA-6BINTR

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：54-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

AllianceMemory

Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16SA-6BAN

AutoRefreshandSelfRefresh

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C8M16SA-6BAN

128M??(8Mx16bit)SynchronousDRAM(SDRAM)

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C8M16SA-6TAN

AutoRefreshandSelfRefresh

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C8M16SA-6TAN

128M??(8Mx16bit)SynchronousDRAM(SDRAM)

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C8M16SA-6TCN

128M-8Mx16bitSynchronousDRAM(SDRAM)

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C8M16SA-6TCN

Fullysynchronousoperation

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C8M16SA-6TIN

Fullysynchronousoperation

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS4C8M16SA-6TIN

128M-8Mx16bitSynchronousDRAM(SDRAM)

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    AS4C8M16SA-6BIN

  • 制造商：

    Alliance Memory, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM

  • 存儲容量：

    128Mb（8M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    54-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    54-TFBGA（8x8）

  • 描述：

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AS4C8M16SA-6BIN供應商 更新時間2024-12-28 20:00:00

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