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AS6C4008-55BIN

512K X 8 BIT LOW POWER 512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

GENERALDESCRIPTION TheAS6C4008isa4,194,304-bitlowpowerCMOSstaticrandomaccessmemoryorganizedas524,288wordsby8bits.Itisfabricatedusingveryhighperformance,highreliabilityCMOStechnology.Itsstandbycurrentisstablewithintherangeofoperatingtemperature. FEAT

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS6C4008-55BIN

512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM

FEATURES Accesstime:55ns Lowpowerconsumption:Operatingcurrent:30mA(TYP.)Standbycurrent:4μA(TYP.)Single2.7V~5.5VpowersupplyAlloutputsTTLcompatible Fullystaticoperation Tri-stateoutput Dataretentionvoltage:1.5V(MIN.)AllproductsROHSCompliant Package:32-p

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS6C4008-55BIN

Package：36-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

AllianceMemory

Alliance Memory, Inc.

AS6C4008-55BINTR

Package：36-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

AllianceMemory

Alliance Memory, Inc.

AS6C4008-55PCN

512KX8BITLOWPOWERCMOSSRAM

FEATURES Accesstime:55ns Lowpowerconsumption:Operatingcurrent:30mA(TYP.)Standbycurrent:4μA(TYP.)Single2.7V~5.5VpowersupplyAlloutputsTTLcompatible Fullystaticoperation Tri-stateoutput Dataretentionvoltage:1.5V(MIN.)AllproductsROHSCompliant Package:32-p

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS6C4008-55PCN

512KX8BITLOWPOWER512KX8BITLOWPOWERCMOSSRAM

GENERALDESCRIPTION TheAS6C4008isa4,194,304-bitlowpowerCMOSstaticrandomaccessmemoryorganizedas524,288wordsby8bits.Itisfabricatedusingveryhighperformance,highreliabilityCMOStechnology.Itsstandbycurrentisstablewithintherangeofoperatingtemperature. FEAT

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS6C4008-55SIN

512KX8BITLOWPOWER512KX8BITLOWPOWERCMOSSRAM

GENERALDESCRIPTION TheAS6C4008isa4,194,304-bitlowpowerCMOSstaticrandomaccessmemoryorganizedas524,288wordsby8bits.Itisfabricatedusingveryhighperformance,highreliabilityCMOStechnology.Itsstandbycurrentisstablewithintherangeofoperatingtemperature. FEAT

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS6C4008-55SIN

512KX8BITLOWPOWERCMOSSRAM

FEATURES Accesstime:55ns Lowpowerconsumption:Operatingcurrent:30mA(TYP.)Standbycurrent:4μA(TYP.)Single2.7V~5.5VpowersupplyAlloutputsTTLcompatible Fullystaticoperation Tri-stateoutput Dataretentionvoltage:1.5V(MIN.)AllproductsROHSCompliant Package:32-p

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS6C4008-55STIN

512KX8BITLOWPOWER512KX8BITLOWPOWERCMOSSRAM

GENERALDESCRIPTION TheAS6C4008isa4,194,304-bitlowpowerCMOSstaticrandomaccessmemoryorganizedas524,288wordsby8bits.Itisfabricatedusingveryhighperformance,highreliabilityCMOStechnology.Itsstandbycurrentisstablewithintherangeofoperatingtemperature. FEAT

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

AS6C4008-55STIN

512KX8BITLOWPOWERCMOSSRAM

FEATURES Accesstime:55ns Lowpowerconsumption:Operatingcurrent:30mA(TYP.)Standbycurrent:4μA(TYP.)Single2.7V~5.5VpowersupplyAlloutputsTTLcompatible Fullystaticoperation Tri-stateoutput Dataretentionvoltage:1.5V(MIN.)AllproductsROHSCompliant Package:32-p

ALSC

Alliance Semiconductor Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    AS6C4008-55BIN

  • 制造商：

    Alliance Memory, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
AllianceM
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更多AS6C4008-55BIN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 9:50:00

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