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ATC600F6R8BT250XT	文件：1.13431 Mbytes Page：25 Pages	Gallium Arsenide pHEMT RF Power Field Effect Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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600F6R8BT250XT	文件：195.94 Kbytes Page：13 Pages	AirfastRFPowerLDMOSTransistor Designedforhandheldtwo?wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge?signal,common?sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features ?Characterizedforoperationf	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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600F6R8BT250XT	文件：345.5 Kbytes Page：5 Pages	Ultra-LowESR,HighQ,NPORFMicrowaveCapacitors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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更多ATC600F6R8BT250XT供應(yīng)商更新時間2024-12-27 15:22:00