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ATF-21170中文資料安捷倫科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ATF-21170
廠商型號

ATF-21170

功能描述

0.5-6 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET

文件大小

47.29 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Agilent(Hewlett-Packard)
企業(yè)簡稱

HP安捷倫科技

中文名稱

安捷倫科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-21 11:20:00

ATF-21170規(guī)格書詳情

Description

The ATF-21170 is a high performance gallium arsenide Schottky barrier-gate field effect transistor housed in a hermetic, high reliability package. This device is designed for use in low noise or medium power amplifier applications in the 0.5-6 GHz frequency range.

This GaAs FET device has a nominal 0.3 micron gate length with a total gate periphery of 750 microns. Proven gold based metallization systems and nitride passivation assure a rugged, reliable device.

Features

? Low Noise Figure: 0.9 dB Typical at 4 GHz

? High Associated Gain: 13.0 dB Typical at 4 GHz

? High Output Power: 23.0 dBm Typical P 1 dB at 4 GHz

? Hermetic Gold-Ceramic Microstrip Package

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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