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ATF-21170

0.5-6 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET

Description TheATF-21170isahighperformancegalliumarsenideSchottkybarrier-gatefieldeffecttransistorhousedinahermetic,highreliabilitypackage.Thisdeviceisdesignedforuseinlownoiseormediumpoweramplifierapplicationsinthe0.5-6GHzfrequencyrange. ThisGaAsFETdevic

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷倫科技安捷倫科技有限公司

BU21170MUV

CapacitiveSwitchControllerIC

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

M21170

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M/A-COM Technology Solutions, Inc.

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更多ATF-21170供應商 更新時間2025-2-10 10:03:00

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