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ATS278Z-PL-A	文件：210.42 Kbytes Page：6 Pages	TwoPhaseHallEffectLatchWithFGOutput GeneralDescription ATS278isanintegratedHallsensorwithtwooutputdriversandrotorspeedoutput,typicallydesignedforelectroniccommutationoftwo-phasebrush-lessDCfanapplications. Features -On-chipHallplate -Operatingvoltage:3.5V~20V -Internalbandgapregulatorallowste	ANACHIPAnachip Corp 易亨易亨電子股份有限公司	ANACHIP
ATS278Z-PL-B	文件：210.42 Kbytes Page：6 Pages	TwoPhaseHallEffectLatchWithFGOutput GeneralDescription ATS278isanintegratedHallsensorwithtwooutputdriversandrotorspeedoutput,typicallydesignedforelectroniccommutationoftwo-phasebrush-lessDCfanapplications. Features -On-chipHallplate -Operatingvoltage:3.5V~20V -Internalbandgapregulatorallowste	ANACHIPAnachip Corp 易亨易亨電子股份有限公司	ANACHIP
BA278	文件：82.96 Kbytes Page：5 Pages	Band-switchingdiode DESCRIPTION Planarhighperformanceband-switchingdiodeinasmallplasticSOD523VSMDpackage. FEATURES ?SmallplasticSMDpackage ?Continuousreversevoltage:max.35V ?Continuousforwardcurrent:max.100mA ?Lowdiodecapacitance:max.1.2pF ?Lowdiodeforwardresistance:max.0	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BA278	文件：88.77 Kbytes Page：5 Pages	Band-switchingdiode FEATURES ?SmallplasticSMDpackage ?Continuousreversevoltage:max.35V ?Continuousforwardcurrent:max.100mA ?Lowdiodecapacitance:max.1.2pF ?Lowdiodeforwardresistance:max.0.7Ω. APPLICATIONS ?LowlossbandswitchinginVHFtelevisiontuners. ?Surfacemountband-sw	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF278	文件：103.27 Kbytes Page：7 Pages	VHFPOWERMOSFET DESCRIPTION: TheASIBLF278isaDualCommonSourceN-ChannelEnhancementModeMOSFETRFPowerTransistor,Designedfor175MHz,300WTransmitterandAmplifierApplications.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
BLF278	文件：129.62 Kbytes Page：3 Pages	VHPpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION Dualpush-pullsiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorencapsulatedina4-lead,SOT262A1balancedflangepackagewithtwoceramiccaps.Themountingflangeprovidesthecommonsourceconnectionforthetransistors. FEATURES ?Highpowergain ?Easypowercontr	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BLF278	文件：179.2 Kbytes Page：21 Pages	VHFpush-pullpowerMOStransistor DESCRIPTION Dualpush-pullsiliconN-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorencapsulatedina4-lead,SOT262A1balancedflangepackagewithtwoceramiccaps.Themountingflangeprovidesthecommonsourceconnectionforthetransistors. FEATURES ?Highpowergain ?Easypowercontr	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BY278	文件：52.07 Kbytes Page：7 Pages	Damperdiode DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES ?Glasspassivated ?Highmaximumoperatingtemperature ?Lowleakagecurrent ?Excellen	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
CMD278	文件：230.5 Kbytes Page：12 Pages	8-12GHzGaNLowNoiseAmplifier	MMIC Custom MMIC Design Services, Inc.	MMIC
D278S	文件：45.7 Kbytes Page：8 Pages	Control/Communicators	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
ES278	文件：637.99 Kbytes Page：25 Pages	4000CountsManualDMM	CYRUSTEKCyrustek corporation 承永科技承永資訊科技股份有限公司	CYRUSTEK
HC-278	文件：358.21 Kbytes Page：6 Pages	HybridAssembliesOPTICRECEIVERMODULES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商	ETC1
HC-278M	文件：358.21 Kbytes Page：6 Pages	HybridAssembliesOPTICRECEIVERMODULES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商	ETC1
HSB278S	文件：78.1 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector Features ?Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. ?CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSB278S	文件：29.39 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching Features ?Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. ?CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSC278	文件：71.6 Kbytes Page：7 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features ?Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. ?UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSC278	文件：142.27 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector Features ?Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. ?UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSD278	文件：142.9 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HSD278	文件：26.8 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSD278	文件：162.98 Kbytes Page：7 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
ATS278PL
功能描述：
工業(yè)霍耳效應(yīng)/磁性傳感器 Complement Dual-Coil
RoHS：
否
制造商：
Honeywell

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	ATS278-PL	DIODES	2017+	TO92-5	28562	只做原裝正品假一賠十!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	ATS278-PL	DIODES/美臺(tái)	23+	TO92-5	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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