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IRF7306PBF	文件：231.71 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7306QPBF	文件：249.48 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cj	IRF International Rectifier	IRF
IRF7306QTRPBF	文件：1.19365 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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IRF7306TRPBF	文件：1.19358 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitches	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
KS7306	文件：405.44 Kbytes Page：54 Pages	DIGITALCAMERAPROCESSOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
L7306	文件：1.12019 Mbytes Page：7 Pages	Thebestlightsourceissupportedbythebestelectrodetechnology	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 濱松光子濱松光子學(xué)株式會社	HAMAMATSU
MAX7306	文件：308.7 Kbytes Page：23 Pages	SMBus/I2CInterfaced4-Port,Level-TranslatingGPIOsandLEDDrivers	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim

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