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AUIRGP4066D1-E

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ?LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology ?Lowswitchinglosses ?MaximumJunctiontemperature175°C ?5μSshortcircuitSOA ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedfor4Xratedcurrent(ILM) ?PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient ?SoftRecoveryCo-PakDiode ?Tightparamet

IRF

International Rectifier

AUIRGP4066D1-E

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 140A 454W TO-247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRGP4066D1

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology ?Lowswitchinglosses ?MaximumJunctiontemperature175°C ?5μSshortcircuitSOA ?SquareRBSOA ?100ofthepartstestedfor4Xratedcurrent(ILM) ?PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient ?SoftRecoveryCo-PakDiode ?Tightparamet

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    AUIRGP4066D1-E

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 開關(guān)能量:

    4.24mJ(開),2.17mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    50ns/200ns

  • 測試條件:

    400V,75A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 140A 454W TO-247AC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AUIRGP4066D1-E供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 15:00:00