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AUIRGP50B60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

AUIRGP50B60
廠商型號

AUIRGP50B60

參數(shù)屬性

AUIRGP50B60 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 75A 390W TO247AD

功能描述

IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

389.55 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-15 10:05:00

AUIRGP50B60規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Saturation Voltage:VCE(sat)= 2V@IC=33A

·Minimal Tail Current

·Automotive Qualified

APPLICATIONS

·Automotive HEV and EV

·Welding Converters

·,PFC

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    AUIRGP50B60PD1E

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.85V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    255μJ(開),375μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    30ns/130ns

  • 測試條件:

    390V,33A,3.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 390W TO247AD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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