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AUIRGP50B60

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2V@IC=33A ·MinimalTailCurrent ·AutomotiveQualified APPLICATIONS ·AutomotiveHEVandEV ·WeldingConverters ·,PFC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AUIRGP50B60PD1

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V（Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AUIRGP50B60PD1

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

AUIRGP50B60PD1

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRGP50B60PD1E

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

AUIRGP50B60PD1-E

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRGP50B60PD1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 390W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AUIRGP50B60PD1E

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 75A 390W TO247AD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

GP50B60PD

SMPSIGBT

WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient ?LowerVCE(SAT) ?LowerParasiticCapacitances ?MinimalTailCurrent ?HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode ?TighterDistributionofParameters ?HigherReliability

IRF

International Rectifier

IRGP50B60PD

SMPSIGBT

WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient ?LowerVCE(SAT) ?LowerParasiticCapacitances ?MinimalTailCurrent ?HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode ?TighterDistributionofParameters ?HigherReliability

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    AUIRGP50B60

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V AUTO WARP2 150KHZ COPACK IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AUIRGP50B60供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:57:00

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