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BC818	文件：191.31 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●ForgeneralAFapplication. ●ComplementaryPNPtypeavailableBC808. ●Highcollectorcurrent,highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. APPLICATIONS ●Generalpurposemediumpoweramplifier.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BC818	文件：116.85 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC818	文件：40.55 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconAFTransistors Features ●ForgeneralAFapplications. ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BC818	文件：227.3 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ?NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforswitching,AFdriverandamplifierapplications. ?Especiallysuitedforautomaticinsertioninthick-andthin-filmcircuits. ?Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups-16,-25and-40accordingtotheircurrentgain. ?Ascom	GE GE Industrial Company	GE
BC818	文件：31.84 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages ?ComplementtoBC807/BC808	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC818	文件：80.78 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(HighcurrentapplicationSwitchingapplication) Descriptions ?Highcurrentapplication ?Switchingapplication Features ?SuitableforAF-Driverstageandlowpoweroutputstages ?ComplementarypairwithBC808	AUK AUK corp	AUK
BC818	文件：188.12 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation310mW ?PlasticcaseSOT-23 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC818	文件：47.67 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807,BC808(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC818	文件：229.95 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforuseindriveandoutputstagesofaudioamplifiers.	DCCOM Dc Components	DCCOM
BC818	文件：260.519 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication Descriptions ?Highcurrentapplication ?Switchingapplication Features ?SuitableforAF-Driverstageandlowpoweroutputstages ?ComplementarypairwithBC808	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
BC818	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC818	文件：361.75 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI
BC818	文件：162.66 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC818	文件：185.06 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitching,AFdriverandamplifierapplication, Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups –16,-25,-40accordingtotheircurrentgain. Ascomplementarytypes,thePNPtransistors BC807andBC808arerecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC818	文件：366 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司	PJSEMI
BC818	文件：337.81 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONNPNTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBC817andBC818seriesdevicesaresiliconNPNtransistors,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
BC818	文件：161.97 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BC818	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitching,AFdriverandamplifierapplication, Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain. Ascomplementarytypes,thePNPtransistorsBC807andBC808arerecommended.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
BC818	文件：186.07 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
BC818	文件：1.39602 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU

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更多AXP818供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 15:58:00

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