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2SB1237

Marking：B1237；Package：ATV；Medium Power Transistor

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

2SB1274

Marking：B1274；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES WideASO(AdoptionofMBITProcess). LowSaturationVoltage. HighReliability. HighBreakdownVoltage.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1375

Marking：B1375；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25℃) Lowvoltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) CollectorMetal(Fin)isCoverdwithMoldRegin Complementaryto2SD2012

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1426

Marking：B1426；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES GeneralPurposeSwitchingandAmplification

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1426-TA

Marking：B1426；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES GeneralPurposeSwitchingandAmplification

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SB1644J

Marking：B1644；Package：D2-PAK；PNP -4A -80V Power Transistor

Features 1)SuitableforPowerDriver 2)LowVCE(sat) VCE(sat)=?1.5V(Max.)(IC/IB=?3A/?300mA) 3)LeadFree/RoHSCompliant. Applications Automotivepowerdriver,LEDdriver Powersupply

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

844201BKI-45LF

Marking：B15L；Package：VFQFN；FemtoClock? Crystal-to-LVDS Clock Generator

Features ?OnedifferentialLVDSoutputpair ?Crystaloscillatorinterfacedesignedfor18pF, 25MHzparallelresonantcrystal ?VCOrange:490MHz–680MHz ?RMSphasejitterat100MHz(12kHz–20MHz):0.792ps(typical) ?RMSphasejitterat125MHz(12kHz–20MHz):0.773ps(typical) ?Full

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

844201BKI-45LFT

Marking：B15L；Package：VFQFN；FemtoClock? Crystal-to-LVDS Clock Generator

Features ?OnedifferentialLVDSoutputpair ?Crystaloscillatorinterfacedesignedfor18pF, 25MHzparallelresonantcrystal ?VCOrange:490MHz–680MHz ?RMSphasejitterat100MHz(12kHz–20MHz):0.792ps(typical) ?RMSphasejitterat125MHz(12kHz–20MHz):0.773ps(typical) ?Full

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ACDBTS1100R-HF

Marking：B10；Package：SOD-123F；SMD Schottky Barrier Diode

Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Lowreversecurrent. -AEC-Q101Qualified&PPAP.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

AO3401

Marking：B1H；Package：SOT23-3L；P-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS(V)=-30V ID=-4.2A(VGS=-10V) RDS(ON)

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    B10

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_差分放大器射極輸出 （Dual）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    6

  • 可代換的型號：

    IMB10A,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-23

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    B1

  • 制造商：

    Square D by Schneider Electric

  • 功能描述：

    THERMAL UNIT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
群鑫
22+
D3K
30000
原裝正品 一級代理
 詢價
Opto 22
2022+
23
全新原裝 貨期兩周
 詢價
24+
N/A
62000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
ON/安森美
25+
SOT-23
30000
原裝正品,歡迎來電咨詢!
 詢價
HP
23+
12000
現(xiàn)貨庫存
 詢價
MPS/美國芯源
22+
QFN
25000
只做原裝,絕對原裝,假一罰十!
 詢價
INFINEON
22+
TSSOP-38
8000
終端可免費供樣,支持BOM配單
 詢價
MPS/美國芯源
22+
QFN
25000
只做原裝,原裝,假一罰十
 詢價
INFINEON
23+
TSSOP-38
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
TSSOP-38
7000
詢價
更多B1供應商 更新時間2025-5-5 9:30:00

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