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ACDBTS1100R-HF

Marking：B10；Package：SOD-123F；SMD Schottky Barrier Diode

Features -Lowforwardvoltage. -Designedformountingonsmallsurface. -Lowreversecurrent. -AEC-Q101Qualified&PPAP.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

EMB10

Marking：B10；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors)

Features 1)TwoDTA123JchipsinaEMTorUMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application INVERTER,INTERFACE,DRIVE

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

EMB10FHA

Marking：B10；Package：EMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors

lFeatures 1)Built-InBiasingResistors. 2)TwoDTA123Jchipsinonepackage. 3)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 4)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistors withcompleteisolat

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

IMB10A

Marking：B10；Package：SOT-26；General purpose (dual digital transistors)

Features 1)TwoDTA123JchipsinaEMTorUMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application INVERTER,INTERFACE,DRIVE

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

IMB10AFRA

Marking：B10；Package：SMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors

lFeatures 1)Built-InBiasingResistors. 2)TwoDTA123Jchipsinonepackage. 3)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 4)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistors withcompleteisolat

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

UMB10N

Marking：B10；Package：SOT-363；General purpose (dual digital transistors)

Features 1)TwoDTA123JchipsinaEMTorUMTorSMTpackage. 2)MountingpossiblewithEMT3orUMT3orSMT3automaticmountingmachines. 3)Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. 4)Mountingcostandareacanbecutinhalf. Application INVERTER,INTERFACE,DRIVE

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

UMB10NFHA

Marking：B10；Package：UMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors

lFeatures 1)Built-InBiasingResistors. 2)TwoDTA123Jchipsinonepackage. 3)Built-inbiasresistorsenabletheconfigurationof aninvertercircuitwithoutconnectingexternal inputresistors(seeinnercircuit). 4)Thebiasresistorsconsistofthin-filmresistors withcompleteisolat

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

EMB10

Marking：B10；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

EMB10

Marking：B10；Package：EMT6；General purpose Dual digital transistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

EMB10

Marking：B10；Package：EMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

晶體管資料

  • 型號：

    B10

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質：

    表面帖裝型 （SMD）_差分放大器射極輸出 （Dual）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    6

  • 可代換的型號：

    IMB10A,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-23

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    B10

  • 制造商：

    Xytronic Industries

  • 功能描述：

    TIP SCREWDRIVER 4.8MM

  • 制造商：

    Thomas & Betts

  • 制造商：

    PACIFIC

  • 功能描述：

    RESISTOR, WIRE WOUND, 7 W, 0.02, 0.05, 0.1, 0.25, 0.5, 1, 3, 5 %, 20, 50, 90 ppm, 1 ohm - 96000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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