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B1D03120E

Marking：B1D03120E；Package：TO-252-2；SiC Schottky Diode

Features ?Extremelylowreversecurrent ?Noreverserecoverycurrent ?Temperatureindependentswitching ?PositivetemperaturecoefficientonVF ?Excellentsurgecurrentcapability ?Lowcapacitivecharge Benefits ?Essentiallynoswitchinglosses ?Systemefficiencyimprovementover

BASICSEMISHENZHEN BASIC SEMICONDUCTOR

基本半導體深圳基本半導體有限公司

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更多B1D03120E供應商 更新時間2022-10-9 9:39:00

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