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BAR63-02L

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

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BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

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BAR63-02L

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

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BAR63-02V

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

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BAR63-02V

SiliconPINDiodes

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BAR63-02V

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

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InfineonInfineon Technologies AG

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BAR63-02W

SiliconPINDiodes

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiode(PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals,Lowforwardresistance,smallcapacitancesmallinductance)

SiliconPINDiode ?PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ?Lowforwardresistance,smallcapacitancesmallinductance ?Verylowcapacitance ?Forfrequenciesupto3GHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BAR63-02W

SiliconPINDiodes

●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAT63-02V

SiliconSchottkyDiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAT63-02V

SiliconSchottkyDiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BAT63-02V

LowbarrierdiodefordetectorsuptoGHzfrequencies

?LowbarrierdiodefordetectorsuptoGHzfrequencies ?Pb-free(RoHScompliant)package

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

RLCD-S63-02

635nmFiber-CoupledModuleswithSingleEmitter

ROCHESTERRochester Electronics

羅切斯特羅切斯特電子公司

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更多BAP63-02W供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 14:31:00