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BAR63-02L	文件：497.65 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPINDiodes ●PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ●Verylowforwardresistance(lowinsertionloss) ●Verylowcapacitance(highisolation) ●Forfrequenciesupto3GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BAR63-02W	文件：24.68 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPINDiode(PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals,Lowforwardresistance,smallcapacitancesmallinductance) SiliconPINDiode ?PINdiodeforhighspeedswitchingofRFsignals ?Lowforwardresistance,smallcapacitancesmallinductance ?Verylowcapacitance ?Forfrequenciesupto3GHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
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BAT63-02V	文件：853.31 Kbytes Page：9 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAT63-02V	文件：889.31 Kbytes Page：9 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BAT63-02V	文件：889.31 Kbytes Page：9 Pages	LowbarrierdiodefordetectorsuptoGHzfrequencies ?LowbarrierdiodefordetectorsuptoGHzfrequencies ?Pb-free(RoHScompliant)package	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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