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BAV302-TR	文件：135.81 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Switching Diodes, High Voltage FEATURES ?Siliconepitaxialplanardiodes ?Savingspace ?Hermeticsealedparts ?FitsontoSOD-323/SOT-23footprints ?Electricaldataidenticalwiththedevices ??BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BAV302-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：2-SMD，無引線類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GP 150V 250MA MICROMELF	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BAV302-TR3	文件：135.81 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Switching Diodes, High Voltage FEATURES ?Siliconepitaxialplanardiodes ?Savingspace ?Hermeticsealedparts ?FitsontoSOD-323/SOT-23footprints ?Electricaldataidenticalwiththedevices ??BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BAV302-TR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：2-SMD，無引線類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GP 150V 250MA MICROMELF	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BB302C	文件：58.21 Kbytes Page：11 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features ?BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackages;CMPAK-4(SOT-	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB302M	文件：61.89 Kbytes Page：11 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features ?BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB302M	文件：295.09 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features ?BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BB302MBW-TL-E	文件：295.09 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features ?BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. ?Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) ?WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. ?Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
BC302	文件：122.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES NPNSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC302	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
BC302	文件：15.36 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BC302	文件：133.43 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTORS NPNEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTORS NPNSILICONLOW-AND-MEDIUMPOWERTRANSISTORS.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC302	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES ?InputπFilter ?FullyRegulatedOutputs ?IndustryStandardPinouts ?5,12,24,28,and48VDCInputs ?RippleandNoiseLessThan50mVpp ?Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BD302	文件：246.23 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=30(Min.)@IC=-3A ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-45V(Min.) ?ComplementtoTypeBD301 APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesupto25W,verticaldeflectioncircuitsincolorTVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BD302N	文件：205.05 Kbytes Page：2 Pages	30AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE
BD302N	文件：1.31669 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
BD302P	文件：205.05 Kbytes Page：2 Pages	30AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE
BD302P	文件：1.31667 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
BD-A302ND-A	文件：208.77 Kbytes Page：3 Pages	greenchips,whicharemadefromGaPonGaPsubstrate.	BRIGHT 寧波步來特電器有限公司	BRIGHT
BD-E302RD	文件：212.09 Kbytes Page：3 Pages	greenchips,whicharemadefromGaPonGaPsubstrate	BRIGHT 寧波步來特電器有限公司	BRIGHT

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BAV302-TR
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
系列：
Automotive, AEC-Q101
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
二極管類型：
標準
電流 - 平均整流 (Io)：
250mA
速度：
快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同?Vr、F 時電容：
1.5pF @ 0V，1MHz
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
2-SMD，無引線
供應商器件封裝：
MicroMELF
工作溫度 - 結：
175°C（最大）
描述：
DIODE GP 150V 250MA MICROMELF

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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