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TRANSISTOR(NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:50mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:300V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

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NPNhigh-voltagetransistors

FEATURES ?Lowcurrent(max.50mA) ?Highvoltage(max.300V).

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

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NPNSiliconGermaniumRFTransistor

LowNoiseSiGe:CBipolarRFTransistor ?HighlylinearlownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformance forawiderangeofwirelessapplications ?BasedonInfineonsreliablehighvolume SiliconGermaniumtechnology ?IdealforCDMAandWLANapplications ?Collectordesign

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NPNTransistor

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

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NPNSiliconGermaniumRFTransistor* ?HighgainlownoiseRFtransistor ?Smallpackage1.4x0.8x0.59mm ?OutstandingnoisefigureF=0.7dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=1.3dBat6GHz ?Maximumstablegain Gms=21dBat1.8GHz Gma=10dBat6GHz ?Goldmetal

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