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BT111

Bluetooth?SmartReadyHCIModule

KEYFEATURES ?Bluetoothv.4.0,dualmodecompliant ?SupportBluetoothclassic ?SupportsBluetoothlow energymasterandslavemode ?Radiocapabilities ?Transmitpower:+8dBm ?Receiversensitivity:-89dBm ?Line-of-sightrange:100+meters ?Integratedantenna ?Interfaces ?HCIov

SILABS

Silicon Laboratories

BT111-A-HCI

Bluetooth?SmartReadyHCIModule

KEYFEATURES ?Bluetoothv.4.0,dualmodecompliant ?SupportBluetoothclassic ?SupportsBluetoothlow energymasterandslavemode ?Radiocapabilities ?Transmitpower:+8dBm ?Receiversensitivity:-89dBm ?Line-of-sightrange:100+meters ?Integratedantenna ?Interfaces ?HCIov

SILABS

Silicon Laboratories

BU111

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU111

SiliconNPNPowerTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BUZ111

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated)

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?LogicLevel ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

BUZ111

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

BUZ111S

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

BUZ111S

SIPMOSPowerTransistor

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ111S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.008Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUZ111SL

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated)

Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?LogicLevel ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BC111

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    微型 （Min）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    20V

  • 最大電流允許值：

    0.05A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BC122,BC146,BC198,3DG110M,

  • 最大耗散功率：

    0.03W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    C-62

  • vtest：

    20

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.05

  • wtest：

    0.03

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BC111

  • 制造商：

    Thomas & Betts

  • 功能描述：

    UTILITY BOX 2-3/8" WIDE 1-7/8" DEEP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MOT/ST/PH
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更多BC111供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-11 17:01:00

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