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BD159	文件：74.97 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORNPNSILICON PlasticMediumPowerNPNSiliconTransistor Thisdeviceisdesignedforpoweroutputstagesfortelevision,radio,phonographandotherconsumerproductapplications. Features ?SuitableforTransformerless,Line?OperatedEquipment ?ThermopadConstructionProvidesHighPowerDissipationRatin	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BD159	文件：100.94 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerNPNSiliconTransistor PlasticMediumPowerNPNSiliconTransistor ...designedforpoweroutputstagesfortelevision,radio,phonographandotherconsumerproductapplications. ?SuitableforTransformerless,Line–OperatedEquipment ?ThermopadConstructionProvidesHighPowerDissipationRatingforHig	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
BD159	文件：38.52 Kbytes Page：4 Pages	LowPowerFastSwitchingOutputStages LowPowerFastSwitchingOutputStages ?ForT.VRadioAudioOutputAmplifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BD159	文件：61.88 Kbytes Page：3 Pages	PlasticMediumPowerNPNSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BD159	文件：238.62 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=350V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=30~240(Min)@IC=50mA APPLICATIONS ·Designedforpoweroutputstagesfortelevision,radio,phonographandotherconsumerproductapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD159G	文件：72.56 Kbytes Page：3 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerNPNSiliconTransistor Thisdeviceisdesignedforpoweroutputstagesfortelevision,radio,phonographandotherconsumerproductapplications. Features ?SuitableforTransformerless,Line?OperatedEquipment ?ThermopadConstructionProvidesHighPowerDissipationRatin	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BD159STU	文件：44 Kbytes Page：4 Pages	ForT.VRadioAudioOutputAmplifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BSS159	文件：33.35 Kbytes Page：4 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Nchannel ?Depletionmode ?Highdynamicresistance	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSS159N	文件：221.94 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor SIPMOS?Small-Signal-Transistor Features ?N-channel ?Depletionmode ?dv/dtrated ?AvailablewithVGS(th)indicatoronreel ?QualifiedaccordingtoAECQ101 ?100lead-free;Halogen-free;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSS159N	文件：314.06 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSS159N	文件：201.62 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
C-159A-DFB-PB-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE Source Photonics	SOURCE
C-159A-DFB-PD-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE Source Photonics	SOURCE
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晶體管資料

型號：
BC159(A,B,C)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
30V
最大電流允許值：
0.2A
最大工作頻率：
130MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC179,BC206,BC214,BC253,BC309,BC514,BC559,3CG120C,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍數(shù)：
β=900
圖片代號：
H-93
vtest：
30
htest：
130000000
atest：
0.2
wtest：
0.3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BC159A+B+C-GEMISCHT	SIEMENS/西門子	23+		5000	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	BC15EFD120-3.68640	BOMAR	24+		35200	一級代理/放心采購	詢價
上海市鑫鴻達(dá)電子	BC15-K34-AZ3Z	TURCK	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	BC1-5S-R	HANDOUK	23+	DC5VSMTSINGLE-SIDE	880000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BC15T1	AZF	23+	01+	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BC15T1	AZF	23+	01+	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	BC16/16	PH	2023+		80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市聯(lián)世界科技有限公司	BC160	N/A			114	原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	BC160	MOT	23+	CAN	1667	優(yōu)勢庫存	詢價
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更多BC159(A,B,C)供應(yīng)商更新時間2025-1-18 11:10:00

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