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CP283	文件：34.76 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistorNPN-SiliconPowerTransistorChip PROCESSDETAILS DieSize68x68MILS DieThickness9.5MILS BaseBondingPadArea18x11MILS EmitterBondingPadArea18x12MILS TopSideMetalizationAl-45,000? BackSideMetalizationTi/Ni/Ag-(3000?,10,000?,10,000?)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
CT283	文件：146.47 Kbytes Page：3 Pages	SILICONGENERALPURPOSEDIODEAXIALLEAD SILICONGENERALPURPOSEDIODEAXIALLEAD FEATURES GenerallPurpose,Industrial,MilitaryAndSpaceApplication,HermeticallySealedGlassWithAStudOnEitherSideOfTheGlassPassivatedChipProvidesExcellentStabilityExtremelyLowLeakaveAndVeryHighReliability.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
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