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BC307BTFR_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial宏捷佳二部
- 詳細(xì)信息
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產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
BC307BTFR
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
相近型號(hào)
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- BC307CBU
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