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BC817U	文件：45.61 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArray ?ForAFstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-saturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC817U	文件：76.1 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC817U	文件：280.87 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●PNPcomplement:LBC807Series. ●Pb-FreePackageisavailable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC817U-A	文件：280.87 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●PNPcomplement:LBC807Series. ●Pb-FreePackageisavailable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC817U-B	文件：280.87 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●PNPcomplement:LBC807Series. ●Pb-FreePackageisavailable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC817U-C	文件：280.87 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●PNPcomplement:LBC807Series. ●Pb-FreePackageisavailable.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC817UPN	文件：137.08 Kbytes Page：4 Pages	NPN/PNPSiliconTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArray ?ForAFstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPtransistorsinonepackage ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BC817V	文件：414.05 Kbytes Page：4 Pages	P/NsuffixVmeansAEC-Q101qualified,e.g:BC817VP/NsuffixVmeansHalogen-free	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC817W	文件：174.52 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features GeneralPurposeThreecurrentgaingroupsComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,AmplificationCommercialgradeSuffix-Q:AEC-Q101compliant1)Suffix-AQ:inAEC-Q101qualification1) MechanicalData1) Tapedan	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC817W	文件：779.33 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistorEpitaxialPlanarTransistor Description TheBC817WisdesignedforswitchingandAFamplifierapplication,suitablefordriverstoragesandlowpoweroutputstorages. Features ForGeneralAFAppliacations HighCollectorCurrent HighCurrentGain LowCollector-EmitterSaturationVoltage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC817W	文件：264.18 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC817W	文件：245.5 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistors. Features ■Highcurrent ■Lowvoltage Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC817W	文件：41.28 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ComplementarytoBC807W.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
BC817W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:BC807W. FEATURES ?Highcurrent(max.500mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC817W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC817W	文件：49.11 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor ■Features ●ForGeneralAFApplications ●HighCollectorCurrent ●HighCurrentGain ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●ComplementarytoBC807W	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BC817W	文件：225.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNgeneralpurposetransistor FEATURES ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Complementarytypes:BC807W,BC808W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
BC817W	文件：245.5 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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