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首頁(yè)>BC848CDW1T1G>芯片詳情
BC848CDW1T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN智連鑫科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
BC848CDW1T1G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual NPN
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市智連鑫科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張小姐
- 手機(jī):
13357276588
- 詢價(jià):
- 電話:
13357276588
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生村新圍4巷7號(hào)一樓
相近型號(hào)
- BC848CB6327
- BC848CDXV6T5G
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- BC848C
- BC848CL3-TP
- BC848CLLT1G
- BC848CLT
- BC848CLT1
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