首頁>BC848CPDW1T1G>芯片詳情

BC848CPDW1T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual Complementary中天科工一部

BC848CPDW1T1G

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號:

    BC848CPDW1T1G

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量:

    30000

  • 產(chǎn)品封裝:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 生產(chǎn)批號:

    24+

  • 庫存類型:

    熱賣庫存

  • 更新時間:

    2024-10-24 18:50:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:BC848CPDW1T1G品牌:onsemi

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

  • 芯片型號:

    BC848CPDW1T1G

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    17 頁

  • 文件大?。?/span>

    178.93 kb

  • 資料說明:

    Dual General Purpose Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    BC848CPDW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李先生

  • 手機:

    13128990370

  • 詢價:
  • 電話:

    13128990370免費服務(wù)熱線-6

  • 傳真:

    原裝正品

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B