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BC849BF	文件：183.85 Kbytes Page：19 Pages	NPNSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC849BMTF	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC849,BC850 ?ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC849BT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC849BW	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES ?Generalpurposeamplifierapplications ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?CollectorcurrentIC=100mA ?BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BC849BW	文件：129.259 Kbytes Page：7 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC849BW	文件：48.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC849BW	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC849BW	文件：98.77 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC849BW	文件：334.98 Kbytes Page：5 Pages	NPNTransistor FEATURES -Lowreversecurrent,highreliability -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BC849BW	文件：130.039 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：236.02 Kbytes Page：6 Pages	NPNTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BC849BW	文件：126.13 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：330.41 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC849BW	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BC849C	文件：277.22 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon MoistureSensitivityLevel:1 ESDRating-HumanBodyModel:>4000V -MachineModel:>400V	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC849C	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
BC849C	文件：273.96 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistors Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856,BC857,BC859,BC860(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC849C	文件：46.35 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplements:BC859andBC860. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BC849B T/R
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市豪邁興電子有限公司	BC849B215	NXP	2339+	N/A	21322	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢庫存!	詢價(jià)
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深圳市科雨電子有限公司	BC849B215	NEXPERIA	1809+	SOT23-3	16750	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
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更多BC849B T/R供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 14:02:00

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