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首頁(yè)>BC856BDW1T1G>芯片詳情
BC856BDW1T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 80V Dual PNP深圳良洲科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
BC856BDW1T1G
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 100mA 80V Dual PNP
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳良洲科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
楊夢(mèng)琪
- 手機(jī):
19128244554
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-21010605
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1005、1007、1015號(hào)華強(qiáng)電子世界2號(hào)樓2層22C081
相近型號(hào)
- BC856BDW1TG
- BC856BB
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- BC856B-AU_R2_000A1
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- BC856B13F
- BC856B-HF
- BC856B+215
- BC856BHZGT116
- BC856B_R1_00001
- BC856B/T3PBF
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