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BC856BDW1T3_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 65V貿(mào)澤芯城一部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
BC856BDW1T3
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 65V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
- 企業(yè):
貿(mào)澤芯城(深圳)電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
陳先生/周小姐
- 手機(jī):
18923718265
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82721010
- 傳真:
0755-28225816
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級(jí)代理商
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