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BC856BSH-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BC856BSH-Q
廠商型號

BC856BSH-Q

功能描述

65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose double transistor

絲印標識

2E

封裝外殼

TSSOP6

文件大小

235.84 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 23:00:00

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BC856BSH-Q規(guī)格書詳情

Features and benefits

? Low collector capacitance

? Low collector-emitter saturation voltage

? Closely matched current gain

? Reduces number of components and board space

? No mutual interference between the transistors

? High-temperature applications up to 175 °C

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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