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BC856BW分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC856BW
廠商型號(hào)

BC856BW
參數(shù)屬性

BC856BW 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
功能描述

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
封裝外殼

SC-70，SOT-323
文件大小

376.64 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Continental Device India Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CDIL

中文名稱

Continental Device India Limited官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-2-2 9:32:00

BC856BW規(guī)格書詳情

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

General Purpose Switching and Amplification.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BC856BW

  • 制造商：

    Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    650mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    220 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-323

  • 描述：

    TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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