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BC858B-TP	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC858BW	文件：167.03 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BC858BW	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) ?ForswitchingandAFAmplifierApplications ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC858BW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC858BW	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC858BW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC858BW	文件：544.42 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC858BW	文件：98.64 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC858BW	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC858BW	文件：449.72 Kbytes Page：5 Pages	BC856AW FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications *OperatingTemp.:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC858BW	文件：148.53 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BC858BW	文件：480.83 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryPNPSiliconTypesAvailable ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC858BW	文件：866.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30hzand15kHz ?Complementarytypes: BC847...-BC850...(NPN) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC858BW	文件：586.99 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC858BW	文件：614.03 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Ideallysuitedforautomaticinsertion ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
BC858BW	文件：125.69 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC858BW	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
BC858BWG	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
BC858BW-G	文件：151.3 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC858C	文件：116.26 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBC856,BC857andBC858SeriestypesarePNPSiliconTransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. MARKINGCODE:PLEASESEEMARKINGCODET	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BC858BTA
功能描述：
兩極晶體管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BC858-BTF	SAMSUNG	2016+		5632	只做進(jìn)口原裝正品!現(xiàn)貨或者訂貨一周貨期!只要要網(wǎng)上有	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	BC858-BTF	SAMSUNG	24+	SOT-23	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	BC858-BTF	SAMSANG	19+	SOT-23	256800	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
上海市鑫鴻達(dá)電子	BC858-BTF	SAMSUNG/三星	2022+		3000	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	BC858-BTF	SAMSUNG/三星	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	BC858-BTF	SAMSUNG/三星	2022	SOT-23	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
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更多BC858BTA供應(yīng)商更新時間2024-11-16 11:17:00

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