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BC858CDXV6T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual PNP中福國(guó)際2部

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  • 廠家型號(hào)：

    BC858CDXV6T1G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    360000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-563

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-1 10:34:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：BC858CDXV6T1G品牌：ONSEMI/安森美

專(zhuān)業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量?jī)r(jià)格低

  • 芯片型號(hào)：

    BC858CDXV6T1G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual PNP

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    BC858CDXV6T1G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中福國(guó)際管理有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13266709901

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-82571134

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路世貿(mào)廣場(chǎng)B座22F

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