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BF1100WR	文件：471.96 Kbytes Page：16 Pages	Dual-gateMOS-FET FEATURES ?Speciallydesignedforuseat9to12Vsupplyvoltage ?Shortchanneltransistorwithhighforwardtransfer admittancetoinputcapacitanceratio ?Lownoisegaincontrolledamplifierupto1GHz ?Superiorcross-modulationperformanceduringAGC. APPLICATIONS ?VHFandUHFappl	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp

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