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BF1100WR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BF1100WR
廠商型號(hào)

BF1100WR

參數(shù)屬性

BF1100WR 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R

功能描述

Dual-gate MOS-FET

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

文件大小

471.96 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-7 15:10:00

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BF1100WR規(guī)格書詳情

FEATURES

? Specially designed for use at 9 to 12 V supply voltage

? Short channel transistor with high forward transfer

admittance to input capacitance ratio

? Low noise gain controlled amplifier up to 1 GHz

? Superior cross-modulation performance during AGC.

APPLICATIONS

? VHF and UHF applications such as television tuners and

professional communications equipment.

DESCRIPTION

Enhancement type field-effect transistor in a plastic

microminiature SOT343R package. The transistor

consists of an amplifier MOS-FET with source and

substrate interconnected and an internal bias circuit to

ensure good cross-modulation performance during AGC.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BF1100WR,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    N 通道雙門

  • 頻率:

    800MHz

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 噪聲系數(shù):

    2dB

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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