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BF1009SR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BF1009SR
廠商型號(hào)

BF1009SR

參數(shù)屬性

BF1009SR 封裝/外殼為SOT-143R;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R

封裝外殼

SOT-143R

文件大小

251.35 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-9 11:30:00

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BF1009SR規(guī)格書詳情

BF1009SR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BF1009SR晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

? For low noise, high gain controlled

input stage up to 1 GHz

? Operating voltage 9 V

? Integrated biasing network

? Pb-free (RoHS compliant) package1)

? Qualified according AEC Q101

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BF1009SRE6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    N 通道

  • 頻率:

    800MHz

  • 增益:

    22dB

  • 額定電流(安培):

    25mA

  • 噪聲系數(shù):

    1.4dB

  • 封裝/外殼:

    SOT-143R

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT-143R-3D

  • 描述:

    MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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