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BCP55-Q

Marking：BCP55；Package：SC-73；60 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP55T

Marking：BCP55T；Package：SC-73；60 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP56

Marking：BCP56；Package：SC-73；80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP56

Marking：BCP56；Package：SC-73；80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP56-10

Marking：BCP56/10；Package：SC-73；80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP56-10

Marking：BCP56/10；Package：SC-73；80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP56-10-Q

Marking：BCP56/10；Package：SOT223；80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP5610QTA

Marking：BCP5610；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223

Features ?BVCEO>80V ?IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=2APeakPulseCurrent ?2WPowerDissipation ?LowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODES

Diodes Incorporated

BCP5610QTA

Marking：BCP5610；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223

Features ?BVCEO>80V ?IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=2APeakPulseCurrent ?2WPowerDissipation ?LowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODES

Diodes Incorporated

BCP5610QTC

Marking：BCP5610；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223

Features ?BVCEO>80V ?IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=2APeakPulseCurrent ?2WPowerDissipation ?LowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODES

Diodes Incorporated

晶體管資料

  • 型號：

    BCP

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SB1188,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    40

  • htest：

    100000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BCP

  • 功能描述：

    達林頓晶體管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 配置：

    Octal

  • 晶體管極性：

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流：

    0.5 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-18

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon/英飛凌
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全新、原裝、現(xiàn)貨
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INFINEON/英飛凌
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SOT223
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SOT223
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SOT223
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全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢
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更多BCP供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 18:15:00

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