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BCP56-10-QF

包裝：散裝 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

BCP56-10T

80V,1ANPNmediumpowertransistors

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP56-10T

80V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP56-10T

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP56-10T-Q

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCX56-10

NPNTRANSISTOR

VOLTAGE45~80.0VoltsCURRENT1.0Ampers FEATURES ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).

NIUHANG

Dongguan City Niuhang Electronics Co.LTD

BCX56-10

NPNSiliconAFTransistors

FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

BCX56-10

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Generaldescription NPNmediumpowertransistorseries. Features ■Highcurrent ■Twocurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability Applications ■Linearvoltageregulators ■Low-sideswitches ■MOSFETdrivers ■Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BCX56-10

NPNSiliconAFTransistors

FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

BCX56-10

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ?CollectorCurrent:ICM=1.0A ?Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=100V ?Marking:BCX56=BH,BCX56-10=BK,BCX56-16=BL ?EpoxymeetsU

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BCX56-10

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

晶恒濟南晶恒電子有限責任公司

BCX56-10

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCX56-10

80V,1ANPNmediumpowertransistors

1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage 2.Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability 3.Applications ?Li

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCX56-10

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 LowVoltage HighCurrent APPLICATIONS DriverStagesofAudioAmplifiers

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BCX56-10

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ?PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 ?LowVoltage ?HighCurrent APPLICATIONS ?DriverStagesofAudioAmplifiers

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BCX56-10

SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

BCX56-10

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX51…BCX53(PNP)

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

BCX56-10

ForAFdriverandoutputstages

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCX56-10

NPNmediumpowertransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

BCX56-10

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BCP56-10-QF

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101, BCP56-Q

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    63 @ 150mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    180MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-223

  • 描述：

    TRANS NPN 80V 1A SOT223

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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