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BCR12PM-8

Isolated Triac 12 Amperes/400-600 Volts

Description: AtriacisasolidstatesiliconACswitchwhichmaybegatetriggeredfromanoff-statetoanon-stateforeitherpolarityofappliedvoltage. Features: □FullMoldedIsolationPackage □GlassPassivation □1500VRMSIsolationVoltage □SelectedforInductiveLoads □ULAppr

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

BCR12PM-8L

Isolated Triac 12 Amperes/400-600 Volts

Description: AtriacisasolidstatesiliconACswitchwhichmaybegatetriggeredfromanoff-statetoanon-stateforeitherpolarityofappliedvoltage. Features: □FullMoldedIsolationPackage □GlassPassivation □1500VRMSIsolationVoltage □SelectedforInductiveLoads □ULAppr

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

BCR12UM

MEDIUM POWER USE INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE

MEDIUMPOWERUSEINSULATEDTYPE,GLASSPASSIVATIONTYPE ●IT(RMS)......................................................................12A ●VDRM..............................................................400V/600V ●IFGT!,IRGT!,IRGT#...........................................15mA

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

BCR133

Marking：WCs；Package：SOT-23；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingincircuit,inverter,interfacecircuit, drivecircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR133

NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCR133F

Marking：WCs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingincircuit,inverter,interfacecircuit, drivecircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR133L3

Marking：WC；Package：TSLP-3-4；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingincircuit,inverter,interfacecircuit, drivecircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR133S

Marking：WCs；Package：SOT-363；NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingincircuit,inverter,interfacecircuit, drivecircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR133S

NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

NPNSiliconDigitalTransistorArray ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage ?Builtinbiasresistors(R1=10k?,R2=10k?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCR133SH6327

NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingincircuit,inverter,interfacecircuit, drivecircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?) ?BCR133S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage ?BCR133S:Fororientationinreelsee

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

晶體管資料

  • 型號：

    BCR

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SB1188,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    40

  • htest：

    100000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BCR

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Thin Film, Back-Contact Resistor

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