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BCR135W

NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47K?)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCR135W

NPN Silicon Digital Transistor

NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuitdrivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR135W

NPN Silicon Digital Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR135WE6327BTSA1

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCR135WH6327XTSA1

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BD135

NPNSILICONTRANSISTORS

NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BD135

MediumPowerLinearandSwitchingApplications

Features ?ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications ?MediumPowerLinearandSwitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

BD135

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ?DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc ?BD135,137,139arecomplementarywithBD136,138,140

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BD135

NPNSILICONTRANSISTORS

Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

BD135

NPNpowertransistors

DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES ?Highcurrent(max.1.5A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BD135

NPNSILICONTRANSISTORS

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

BD135

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

BD135

Complementarylowvoltagetransistor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

BD135

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Highcurrent ?ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS ?Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD135

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium?powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

BD135

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR

GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES ?HighCurrent.(Max.:1.5A) ?LowVoltage(Max.:45V) ?DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=0.15A ?ComplementarytoBD136.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

BD135

PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc ?ComplementarywithBD136,BD138,BD140

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BD135

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

BD135

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Highcurrent ?ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS ?Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BD135

TO-126Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BCR135W

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+R

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    DTC114YU,RN1307,UN5214,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BCR135W

  • 制造商：

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述：

    Transistor Array NPN 10K 47K SOT323

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon/英飛凌
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SOT-323
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一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
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SOT-323
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INFINEON
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SOT323
3000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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INFINEON
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SOT-323
7750
全新原裝優(yōu)勢
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INFINEON
24+
SOT-323
6200
新進庫存/原裝
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INFINEON
24+
SOT323
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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Infineon
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NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應QQ3171516190
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INFINEON
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只做進口原裝,終端工廠免費送樣
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SOT-323
23+
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更多BCR135W供應商 更新時間2024-12-21 13:52:00

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