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BCR183W	文件：34.66 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinresistor(R1=10k?,R2=10k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCR183W	文件：489.72 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR183W	文件：497.17 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=10k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR183W	文件：240.01 Kbytes Page：14 Pages	PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR183W	文件：897.79 Kbytes Page：12 Pages	PNP Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR183WE6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR183WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BD183	文件：150.15 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS NPNSILICONTRANSISTOR POWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS BD181,BD182andBD183aresiliconNPNtransistorsintendedforawidevariety ofhighpowerapplications.Typicalapplicationsincludepowerswitchingcircuits, audioamplifiers,solenoiddrivers,andseriesandshuntregulators.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD183	文件：144.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BD183	文件：78.64 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BF183	文件：379.51 Kbytes Page：5 Pages	TRANZYSTORY [ADVANIOERLIKON] TELEVISION/VIDEODEVICES I.F./R.F.amplifiersandoscillators V.H,F./U.H.F.TVtuningdevices	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BFP183	文件：78.74 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP183	文件：60.37 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP183	文件：547.27 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP183R	文件：87.7 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto28mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP183R	文件：58.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto28mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto28mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BFP183T	文件：93.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ●Lowpowerapplications ●Lownoisefigure ●HightransitionfrequencyfT=8GHz Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BFP183TRW	文件：93.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ●Lowpowerapplications ●Lownoisefigure ●HightransitionfrequencyfT=8GHz Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BFP183TW	文件：93.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ●Lowpowerapplications ●Lownoisefigure ●HightransitionfrequencyfT=8GHz Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
BFP183W	文件：78.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackage withvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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晶體管資料

型號：
BCR183W
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產廠家：
制作材料：
Si-P+R
性質：
表面帖裝型（SMD）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
DTA114EU,UN5111,2SA1678,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

詳細參數(shù)

型號：
BCR183W
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
PNP Silicon Digital Transistor

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BCR183W供應商更新時間2024-12-22 16:04:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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