| 零件編號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Marking：WMs；Package：SOT23；PNP Silicon Digital Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WMs；Package：SOT363；PNP Silicon Digital Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WMs；Package：SC74；PNP Silicon Digital Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WMs；Package：SOT323；PNP Silicon Digital Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WMS30N050S；Package：TO252；N-Channel Silicon MOSFET Generaldescription WMS30N050Sisahighperformance logiclevelN-channelMOSFETinTO252 package,whichutilizesadvancedTrench MOSFETtechnologytoprovidelowRDS(on) andgatecharge.Itisdesignedandqualified inawiderangeofindustrialandconsumer applications. Featuresand | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司 | WEEN | ||
Marking：WMSC008H12B1P；Package：WeEnPACK-B1；N-Channel Silicon Carbide MOSFET Module Generaldescription WeEnPACK-B1modulewithWeEn1200V Gen2SiCMOSFETandPressFitpintype. IntergratedwithNTCtemperaturesensor. Featuresandbenefits ?Halfbridgetopology ?PressFitpinstechnology ?LowRDSon ?LowSwitchingLosses ?LowQgandCrss ?LowInductiveDesign | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司 | WEEN | ||
Marking：WMSC010H12B1P；Package：WeEnPACK-B1；N-Channel Silicon Carbide MOSFET Module Generaldescription WeEnPACK-B1modulewithWeEn1200V Gen2SiCMOSFETandPressFitpintype. IntergratedwithNTCtemperaturesensor Featuresandbenefits ?Halfbridgetopology ?PressFitpinstechnology ?LowRDSon ?LowSwitchingLosses ?LowQgandCrss ?LowInductiveDesign A | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司 | WEEN | ||
Marking：WMSC020H12B1P；Package：WeEnPACK-B1；N-Channel Silicon Carbide MOSFET Module Generaldescription WeEnPACK-B1modulewithWeEn1200V Gen2SiCMOSFETandPressFitpintype. IntergratedwithNTCtemperaturesensor. Featuresandbenefits ?Halfbridgetopology ?PressFitpinstechnology ?LowRDSon ?LowSwitchingLosses ?LowQgandCrss ?LowInductiveDesign | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司 | WEEN | ||
Marking：WMSC040H12B1P；Package：WeEnPACK-B1；N-Channel Silicon Carbide MOSFET Module Generaldescription WeEnPACK-B1modulewithWeEn1200V Gen2SiCMOSFETandPressFitpintype. IntergratedwithNTCtemperaturesensor. Featuresandbenefits ?Halfbridgetopology ?PressFitpinstechnology ?LowRDSon ?LowSwitchingLosses ?LowQgandCrss ?LowInductiveDesign | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司 | WEEN |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠(chǎng)家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性質(zhì)：
差分放大器射極輸出 （Dual）_表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BCR183,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
WMS
- 制造商：
WEDC
- 制造商全稱(chēng)：
White Electronic Designs Corporation
- 功能描述：
128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96691
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
22+ |
SOT-23 |
8000 |
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-23 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-23 |
7000 |
詢(xún)價(jià) | |||
NuvotonTechnologyCorpora |
24+ |
8-SOIC |
196 |
詢(xún)價(jià) | |||
WINBOND |
0318+ |
SSOP |
1712 |
自己公司全新庫(kù)存絕對(duì)有貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
NUVOTON |
23+ |
14-Dip |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
WEDC |
24+ |
SOJ32 |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
WEDC |
23+ |
DIP鋼面 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)! |
詢(xún)價(jià) | ||
WEDC |
18+ |
SOJ32 |
85600 |
保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票 |
詢(xún)價(jià) | ||
原廠(chǎng) |
2022+ |
N/A |
385000 |
專(zhuān)營(yíng)現(xiàn)貨庫(kù)存,十五年優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商 |
詢(xún)價(jià) |
