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BCR410	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	Active Bias Controller ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100μAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR410W	文件：127.65 Kbytes Page：4 Pages	Active Bias Controller ActiveBiasController Characteristics ●Suppliesstablebiascurrentfrom1.8Voperatingvoltageon ●Lowvoltagedrop:110mVfor10mAcollectorcurrrent Applicationnotes ●StabilizingbiascurrentofNPNtransistorsandFETsfrom100μAto20mA ●IdealsupplementforSiegetandothertrans	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR410W	文件：170.88 Kbytes Page：6 Pages	Active Bias Controller	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR410W_07	文件：170.88 Kbytes Page：6 Pages	Active Bias Controller	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR410WE6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：SC-82A，SOT-343 類別：集成電路（IC）電源管理 - 專用描述：IC ACTIVE BIAS CONTROLLER SOT343	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR410WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：SC-82A，SOT-343 類別：集成電路（IC）電源管理 - 專用描述：IC ACTIVE BIAS CONTROLLER SOT343	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BD410	文件：123.51 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR TO-126 PlasticPackage	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD410	文件：72.17 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXILASILICONPOWERTRANSISTORS NPNEPITAXILASILICONPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialplanarNPNpowertransistorsmountedinaTO-126plasticpackage. AF-amplifierforhighsupplyvoltageTheyareintendedforcontrolcircuit,verticaloutputstagesinTVsets,andgeneralpurposeapplications.Complianceto	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BF410	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BF410A	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BF410A	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410B	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410B	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BF410C	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BF410C	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410D	文件：36.05 Kbytes Page：6 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors DESCRIPTION AsymmetricalN-channelplanarepitaxialjunctionfield-effecttransistorsinaplasticTO-92variant;intendedforapplicationsuptotheVHFrange. TheseFETscanbesuppliedinfourIDSSgroups.Specialfeaturesarethelowfeedbackcapacitanceandthelownoisefigure.Thanks	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BF410D	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISEN-CHANNELJUNCTIONFIELD-EFFECTTRANSISTORFORRFAPPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BFG410	文件：104.6 Kbytes Page：12 Pages	NPN22GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG410W	文件：104.6 Kbytes Page：12 Pages	NPN22GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG410W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BCR410
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Active Bias Controller

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	BCR410	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BCR410	INFINEON	23+		8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	BCR410	INFINEON	23+		8000	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	BCR410	INFINEON	23+		7000		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	BCR410WH6327	INFINEON	17+	SOT343	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BCR410WE6327	INF	24+		6000		詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	BCR410WE6327	INFINEON	2016+	SOT343-4	5405	只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市亞泰盈科電子有限公司	BCR410WE6327	INFINEON		SOT343-4	37526	只做原裝貨值得信賴	詢價(jià)
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BCR410WH6327	INFINEON	2018+	SOT343	11256	只做進(jìn)口原裝正品!假一賠十!	詢價(jià)

更多BCR410供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 17:56:00

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