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BD239C

NPN power transistor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD239C

TO-220 - Power Transistors and Darlingtons

RECTRON

Rectron Semiconductor

BD239C

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD239C

Silicon NPN Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BD239C_07

NPN power transistor

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD239D

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

POINN

Power Innovations Ltd

BD239E

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

POINN

Power Innovations Ltd

BD239F

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

POINN

Power Innovations Ltd

BD239ATU

Package:TO-220-3;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 60V 2A TO220-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BD239B-S

Package:TO-220-3;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 80V 2A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶體管資料

  • 型號:

    BD239

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    45V

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD241,BD243,BD575,3DD62C,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    45

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    30

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    BD239

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 30W NPN Silicon

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BD239供應(yīng)商 更新時間2025-4-12 14:00:00