BD243C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
BD243C |
參數(shù)屬性 | BD243C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 6A TO220 |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
文件大小 |
78.21 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-3 15:01:00 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
BD243C三極管、BD243C晶體管、BD243C晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
100V
- 最大電流允許值:
6A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
BD601,TIP41C,3DD67D,
- 最大耗散功率:
65W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號(hào):
B-10
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
6
- wtest:
65
BD243C規(guī)格書詳情
BD243C屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的BD243C晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
DESCRIPTION
The BD243B and BD243C are silicon Epitaxial-Base NPN transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package.
They are inteded for use in medium power linear and switching applications.
The complementary PNP types are BD244B and BD244C respectively.
■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BD243C
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
1.5V @ 1A,6A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
700μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 3A,4V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 100V 6A TO220
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-220 |
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詢價(jià) | ||
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STMicroelectronics |
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ST |
23+ |
TO-220 |
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P |
23+ |
TO-220 |
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