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BD243C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD243C
廠商型號

BD243C
參數(shù)屬性

BD243C 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 6A TO220-3
功能描述

Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TRANS NPN 100V 6A TO220-3
文件大小

147.12 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-3 14:50:00

晶體管資料

  • 型號：

    BD243C

  • 別名：

    BD243C三極管、BD243C晶體管、BD243C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    6A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD601,TIP41C,3DD67D,

  • 最大耗散功率：

    65W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-10

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    6

  • wtest：

    65

BD243C規(guī)格書詳情

BD243C屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的BD243C晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

Features

? High Current Gain Bandwidth Product

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant*

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BD243C

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 1A，6A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 3A，4V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 6A TO220-3

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