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BD435分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD435
廠商型號

BD435

參數(shù)屬性

BD435 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 32V 4A TO126

功能描述

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
TRANS NPN 32V 4A TO126

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

65.459 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-3 22:59:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BD435(A-C)(-10...-25)

  • 別名:

    BD435三極管、BD435晶體管、BD435晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    32V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD185,BD195,3DD62A,

  • 最大耗散功率:

    36W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    32

  • htest:

    100000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    36

BD435規(guī)格書詳情

BD435屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BD435晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BD435

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    85 @ 500mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 4A TO126

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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