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BD501B

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=50V(Min) 80V(Min) ·HighPowerDissipation APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementary

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BD501B

SiliconNPNPowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BD501N

50AMPBLOCKDIODES

SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

BD501P

50AMPBLOCKDIODES

SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

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早安股份早安股份有限公司

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早安股份早安股份有限公司

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YSTONEYellow Stone Corp

早安股份早安股份有限公司

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更多BD501A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 16:00:00