首頁>BD539C>規(guī)格書詳情

BD539C分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD539C
廠商型號

BD539C

參數(shù)屬性

BD539C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 100V 5A TO220

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

249.79 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-23 18:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    BD539C

  • 別名:

    BD539C三極管、BD539C晶體管、BD539C晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD243C,BD543C,BD601,3DD64D,

  • 最大耗散功率:

    45W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    45

產品屬性

  • 產品編號:

    BD539C-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 1A,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    300μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    12 @ 3A,4V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 5A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
BOURNS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
詢價
ROHM
1844+
SSOP5
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
詢價
ROHM
589220
16余年資質 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
ROHM
NA
185600
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
詢價
ST
22+
TO-220
16900
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術支持!
詢價
24+
TO-220
10000
全新
詢價
Bourns
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ROHM/羅姆
2021+
VSSOP-5
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
詢價
BOURNSINC
22+
TO-220
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
ROHM/羅姆
23+
7600
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價